Piezas de titanio para semiconductores

1. Control de liberación de impurezas ultra-bajo

Adoptamos un esquema de procesamiento de herramientas cerámicas + herramientas sin hierro-durante todo el proceso de producción. Todos los materiales auxiliares en contacto con la pieza de trabajo se someten a tres rondas de purificación por lavado ácido, controlando estrictamente que el contenido total de hierro, cromo, etc. esté dentro del 0,02%. Esto evita por completo el problema común de contaminación por iones metálicos en los procesos de semiconductores y previene la formación de residuos metálicos excesivos en la superficie de la oblea. Reduce el riesgo de cortocircuito del circuito desde el lado del material.

 

2. Resistencia a la corrosión-a largo plazo

Una vez formada la pieza, se someterá a dos concentraciones diferentes de inmersión en solución oxidante débil para su pasivación. Se generará en la superficie una película protectora uniforme de dióxido de titanio de 8-10 nm de espesor. Incluso cuando se expone a soluciones mixtas de ácido fluorhídrico diluido y ácido nítrico en el proceso de limpieza de semiconductores durante 2000 horas seguidas, no se producirán picaduras ni residuos que rayen la superficie de la oblea.

 

3. Estabilidad dimensional de alta-precisión

Durante el procesamiento, todo el proceso utiliza nitrógeno líquido para un control constante de la temperatura, controlando la deformación generada durante el procesamiento dentro de 0,003 mm. Antes de salir de fábrica, los productos terminados se someten a pruebas cíclicas de alta y baja temperatura de 24 horas. Incluso cuando se opera en un entorno de proceso de semiconductores a 180 grados durante mucho tiempo, no habrá atascos ni adherencias por deformación. No es necesario desmontar y ajustar la precisión de la alineación con frecuencia.

 

4. Baja tasa de escape adecuada para ambientes de vacío.

Todas las piezas se someten primero a un horneado al vacío a 120 grados durante 48 horas para un tratamiento de desgasificación. El vapor de agua y las pequeñas partículas adsorbidas en la superficie se eliminan por completo. Después de instalarse en la cámara de vacío del semiconductor, puede ayudar al equipo a alcanzar el grado de vacío objetivo un 25% más rápido que usar piezas de acero inoxidable comunes, lo que reduce la pérdida de tiempo de espera para el bombeo de vacío.

1. Bandeja de oblea para máquina de deposición de vapor PVD

Se utiliza para soportar la oblea de silicio que se va a recubrir. En el entorno de alta-temperatura de la pulverización catódica del material objetivo, la pieza de titanio no reaccionará con el gas de pulverización catódica y no liberará el exceso de impurezas en la cámara, lo que puede mejorar la uniformidad de la capa de película metálica depositada en la superficie de la oblea en un 5 %, evitando el problema de fuga de viruta causado por un espesor insuficiente de la capa metálica. Es adecuado para requisitos de producción de recubrimiento de procesos de 28 nm e inferiores.

 

2. Rejilla portaobleas para máquina de limpieza en húmedo

En el proceso de limpieza estándar RCA, la rejilla se sumerge completamente en soluciones de limpieza ácidas y alcalinas fuertes. El material de titanio no se corroerá ni producirá residuos, y no se adherirá a la superficie de la oblea para provocar contaminación por partículas. Puede reducir la tasa de defectos de partículas de la limpieza de obleas de un solo lote en un 12 %. Al mismo tiempo, la característica liviana del bastidor también puede reducir la carga de transmisión de la máquina de limpieza y disminuir el consumo de energía del equipo.

 

3. Asiento de fijación de electrodos para máquina de implantación de iones.

Se utiliza para fijar los electrodos de alto-voltaje de la máquina. La propiedad no-magnética del titanio no interferirá con la trayectoria del haz de iones, lo que permitirá controlar la desviación de profundidad de la implantación de iones dentro de un rango muy pequeño, evitando el problema de la dosis de inyección desigual en el área local de la oblea. Mejora significativamente la consistencia del rendimiento eléctrico del chip.

 

4. Brida de conector para tubería de vacío de semiconductores

Conexión de diferentes secciones de la tubería de vacío de la máquina. La baja tasa de escape del titanio puede mantener un ambiente de vacío alto-limpio dentro de la tubería y no causará fluctuaciones en el grado de vacío debido a la liberación de gas de las bridas de acero inoxidable comunes después de un uso prolongado-. Reduce el número de alarmas de parada de la máquina provocadas por anomalías del vacío y aumenta el tiempo de funcionamiento continuo de la línea de producción en un 30%.

1. Personalización de dimensiones no-estándar

Confiando en nuestro propio centro de mecanizado de 5 ejes, el largo, ancho y alto de las piezas se pueden ajustar de acuerdo con el espacio de instalación del equipo semiconductor existente del cliente. No es necesario que el cliente modifique la interfaz del equipo y la primera muestra se puede entregar en un plazo de 7 días.

 

2. Personalización del estado de la superficie.

Se pueden seleccionar dos métodos de tratamiento de superficie según la demanda: pulido espejo y chorro de arena mate. Son adecuados para diferentes requisitos de limpieza del proceso de fabricación y pueden evitar la adhesión de partículas que afecta el entorno de producción de semiconductores.

 

3. Personalización de interfaces especiales.

Las estructuras especiales, como ranuras para tarjetas especiales y orificios de posicionamiento, se pueden personalizar para satisfacer completamente los requisitos de ensamblaje del equipo desarrollado-por el propio cliente. No es necesario agregar componentes de adaptador adicionales.

Artículo	Especificación
Nombre del producto	Piezas de titanio para semiconductores
Material	Titanio puro (Grado 2), Aleación de titanio (Grado 5 Ti-6Al-4V)
Proceso de fabricación	Mecanizado CNC, torneado, fresado, rectificado, soldadura
Formas disponibles	Placa, anillo, tubo, varilla, bloque, piezas personalizadas
Dimensiones	Personalizado según dibujos o muestras.
Tolerancia	Hasta ±0,01 mm
Acabado superficial	Pulido, arenado, decapado, anodizado, mecanizado con precisión
Rugosidad de la superficie	Ra 0,2–1,6 μm (personalizado disponible)
Pureza	Hasta 99,6 % (titanio de grado 2)
Temperatura de funcionamiento	Hasta 400 grados
Densidad	4,51 g/cm³
Dureza	Grado 2: HB 145–200; Grado 5: HRC 30–36
Resistencia a la corrosión	Excelente resistencia a ácidos, álcalis y productos químicos de proceso.
Compatibilidad química	Adecuado para productos químicos semiconductores y entornos de pureza ultra-alta
Inspección	Inspección dimensional, Certificación de materiales, Inspección de superficies

 

 

 

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